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SFF6661/39

更新时间： 2024-09-25 19:53:03

品牌	Logo	应用领域
SSDI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	117K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

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SFF6661/39 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.68
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	90 V
最大漏极电流 (ID)：	0.86 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	10 pF
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SFF6661/39 数据手册

SFF6661/39

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

0.86 AMP

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

N-CHANNEL MOSFET

90 Volts, 4Ω

SFF6661

/39 ___

Screening ^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

│

└

Features:



Rugged construction

Low RDS(on) and high transconductance

Fast recovery and superior dv/dt performance

Increased reverse energy capability

Low input and transfer capacitance for easy

paralleling

Package

/39 = TO-39



Hermetically sealed package

Very fast switching speed

TX, TXV, S-Level screening available^2/

Replacement for 2N6661

Maximum Ratings^3/

Symbol

V_DS

Value

Units

Drain - Source Voltage

Gate - Source Voltage

V_GS

±20

Max. Continuous Drain Current

(T_J= 150°C)

T_C= 25°C

T_C= 100°C

0.86

0.54

I_D

I_DM

Max. Instantaneous Drain Current (Tj limited)

T_C= 25°C

T_A= 25°C

6.25

0.725

Total Power Dissipation

°C

P_D

Operating & Storage Temperature

-65 to +150

T_OP& T_STG

Maximum Thermal Resistance

(Junction to Ambient)

(Junction to Case)

R_θJA

R_θJC

170

°C /W

NOTES:

TO-39

*Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%.

1/ For ordering information, price, and availability - contact factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.

3/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics @25°C.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: FT0041B

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFF6661/39S	SSDI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SFF6661/39TXV	SSDI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SFF6661-39	SSDI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
SFF6661S.22	SSDI	获取价格	0.86 A, 90 V, 4 Ω N-Channel MOSFET
SFF6N100	SSDI	获取价格	4.5 AMP 1000 VOLTS 2 ohm N-Channel Power MOSFET
SFF6N100S1	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
SFF6N100S1S	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
SFF6N100S1TX	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
SFF6N100S1TXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
SFF7002KA2GW	SSDI	获取价格	Dual Microminiature Package 300 mA 60 Volts 2

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