Datasheet > SCH1433-TL-H

SCH1433-TL-H

更新时间： 2024-09-17 14:38:31

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	668K
描述
Power MOSFET, 20V, 64mΩ, 3.5A, Single N-Channel, SOT-563 / SCH6, 5000-REEL

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SCH1433-TL-H 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.69	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.064 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SCH1433-TL-H 数据手册

SCH1433

Power MOSFET

20V, 64mΩ, 3.5A, Single N-Channel

This low-profile high-power MOSFET is produced using ON

Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to

minimize gate charge and ultra low on resistance. This device is suitable for

applications with low gate charge driving or ultra low on resistance

requirements.

www.onsemi.com

Features

• Low On-Resistance

• Low Capacitance

• 1.8V drive

• ESD Diode-Protected Gate

• Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance

• Ultra small package SCH6 (1.6mm×1.6mm×0.56mmt)

(on) Max

DSS

D Max

3.5A

64mΩ@ 4.5V

95mΩ@ 2.5V

149mΩ@ 1.8V

20V

ELECTRICAL CONNECTION

N-Channel

Typical Applications

• Load Switch

1, 2, 5, 6

SPECIFICATIONS

ABSOLUTE MAXIMUM RATING at Ta = 25°C (Note 1)

1 : Drain

2 : Drain

3 : Gate

4 : Source

5 : Drain

6 : Drain

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

Symbol

Value

Unit

DSS

GSS

3.5

Drain Current (Pulse)

PW ≤ 10μs, duty cycle ≤ 1%

Power Dissipation

PACKING TYPE : TL

MARKING

When mounted on ceramic substrate

(900mm²

× 0.8mm)

Junction Temperature

0.8

150

°C

Storage Temperature

Tstg

−55 to +150

Note 1 : Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage

the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not

be assumed, damage may occur and reliability may be affected.

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping

information on page 5 of this data sheet.

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Junction to Ambient

When mounted on ceramic substrate

(900mm²

0.8mm)

Symbol

Value

156.2

Unit

θJA

°C/W

September 2015 - Rev. 2

Publication Order Number :

SCH1435/D

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SCH1433-TL-H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SCH1434	SANYO	获取价格	General-Purpose Switching Device Applications
SCH1435	SANYO	获取价格	General-Purpose Switching Device Applications
SCH1435-TL-W	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET, 30V, 89mΩ, 3A, Single N-Channel, 5000-REEL
SCH1436	SANYO	获取价格	General-Purpose Switching Device Applications
SCH1436TL	ONSEMI	获取价格	1800mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE, SCH6, 6 PIN
SCH1436-TL-H	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET, 30V, 180mΩ, 1.8A, Single N-Channel, SOT-563 / SCH6, 5000-REEL
SCH1436-TL-W	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET, 30V, 180mΩ, 1.8A, Single N-Channel, 5000-REEL
SCH1439	SANYO	获取价格	General-Purpose Switching Device Applications
SCH1439	ONSEMI	获取价格	3500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE, SCH6, 6 PIN
SCH1439TL	ONSEMI	获取价格	3500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE, SCH6, 6 PIN

与SCH1433-TL-H相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

18
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

16
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

93
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

83

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SCH1433-TL-H

SCH1433-TL-H 技术参数

SCH1433-TL-H 数据手册

与SCH1433-TL-H相关器件

与SCH1433-TL-H相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SCH1433-TL-H

SCH1433-TL-H 技术参数

SCH1433-TL-H 数据手册

与SCH1433-TL-H相关器件

与SCH1433-TL-H相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？