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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.58 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW FORWARD VOLTAGE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PDIP-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 50 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 0.5 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 20000 V | 最大反向恢复时间： | 5 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SCH2080KE | ROHM |
获取价格 |
N-channel SiC power MOSFET co-packaged with SiC-SBD |
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| SCH2080KEC | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SCH2101 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PAIR,PNP,12V V(BR)CEO,800MA I(C),LLCC |
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| SCH2201 | SANYO |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Switching, Driver Applications |
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| SCH2201-TL-E | ONSEMI |
获取价格 |
SCH2201-TL-E |
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| SCH2202 | SANYO |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Switching, Driver Applications |
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| SCH2308 | SANYO |
获取价格 |
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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| SCH2309 | SANYO |
获取价格 |
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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| SCH2310 | SANYO |
获取价格 |
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
|
| SCH2311 | SANYO |
获取价格 |
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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