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SBAT54ALT1G

更新时间： 2024-02-07 06:47:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 84K
描述
Schottky Barrier Diodes

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SBAT54ALT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-346包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：1.06
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.24 V
JEDEC-95代码：TO-236AAJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.6 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.225 W参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向恢复时间：0.005 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SBAT54ALT1G 数据手册

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BAT54AL  
Schottky Barrier Diodes  
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching  
applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low  
forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount  
package is excellent for hand held and portable applications where  
space is limited.  
www.onsemi.com  
Features  
30 VOLT  
SCHOTTKY BARRIER  
DETECTOR AND SWITCHING  
DIODES  
• Extremely Fast Switching Speed  
• Low Forward Voltage − 0.35 V (Typ) @ I = 10 mAdc  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
F
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
STYLE 12  
V
R
30  
V
CATHODE  
ANODE  
1
Forward Power Dissipation  
P
F
3
@ T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
2
Derate above 25°C  
CATHODE  
Forward Current (DC)  
I
200 Max  
mA  
mA  
F
MARKING DIAGRAM  
Non−Repetitive Peak Forward Current  
I
FSM  
t < 10 msec  
p
600  
Repetitive Peak Forward Current  
Pulse Wave = 1 sec,  
Duty Cycle = 66%  
I
mA  
FRM  
B6M G  
300  
G
1
Junction Temperature  
T
J
−55 to 150  
°C  
°C  
Storage Temperature Range  
T
−55 to +150  
stg  
B6  
M
G
= Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
BAT54ALT1G  
SOT−23  
3,000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
SBAT54ALT1G  
BAT54ALT3G  
SBAT54ALT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3,000/Tape & Reel  
10,000/Tape & Reel  
10,000/Tape & Reel  
SOT−23  
(Pb−Free)  
SOT−23  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1997  
1
Publication Order Number:  
October, 2016 − Rev. 14  
BAT54ALT1/D  
1234

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