是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.02 | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 最大功率耗散: | 0.225 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 250 V |
最大反向恢复时间: | 0.05 µs | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SBAS21LT1G | ONSEMI |
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High Voltage Switching Diode | |
SBAS21LT3G | ONSEMI |
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High Voltage Switching Diode | |
S-BAS316 | WEITRON |
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High-speed diode | |
SBAS40-04LT1G | ONSEMI |
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40 V 肖特基二极管,双,串联 | |
SBAS40-06LT1G | ONSEMI |
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40 V 双共阳极肖特基二极管 | |
SBAS40L | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diodes | |
SBAS40LT1G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diodes | |
SBAS40LT3G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diodes | |
SBAS70-04LT1G | ONSEMI |
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70 V 肖特基二极管,双,串联 | |
SBAT116 | RECTRON |
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Reverse Voltage Vr : 85 V;Forward Current Io : 215 mA;Max Surge Current : 4.0 A;Forward Vo |