SBAS40-04LT1G

更新时间： 2024-09-30 11:01:31

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SBAS40-04LT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIATURE, CASE 318-08, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
Factory Lead Time：	5 weeks	风险等级：	1.49
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	227047	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Diode	Samacsys Package Category：	SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SOT-23 (TO-236) CASE 318-08	Samacsys Released Date：	2015-09-08 07:07:46
Is Samacsys：	N	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.38 V	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	0.6 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.12 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.225 W
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	40 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SBAS40LT1G	ONSEMI	完全替代	Schottky Barrier Diodes
SB05-05C-TB-E	ONSEMI	类似代替	500 mA, 50 V, Schottky Barrier Diode, Low IR, Single CP
BAS40-06LT1G	ONSEMI	类似代替	Common Anode Schottky Barrier Diodes

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SBAS40-06LT1G	ONSEMI	获取价格	40 V 双共阳极肖特基二极管
SBAS40L	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes
SBAS40LT1G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes
SBAS40LT3G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes
SBAS70-04LT1G	ONSEMI	获取价格	70 V 肖特基二极管，双，串联
SBAT116	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 85 V;Forward Current Io : 215 mA;Max Surge Current : 4.0 A;Forward Vo
SBAT40	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 40 V;Forward Current Io : 0.2 A;Max Surge Current : 1.0 A;Forward Vol
SBAT54ALT1G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes
SBAT54ALT3G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes
SBAT54AWT1G	ONSEMI	获取价格	30 V 双共阳极肖特基二极管