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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMA, | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.6 |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | ANALOG CIRCUIT | JESD-30 代码： | R-CSMA-T12 |
| 长度： | 110 mm | 信道数量： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 12 |
| 最高工作温度： | 60 °C | 最低工作温度： | -5 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | SMA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 座面最大高度： | 5 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 12 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S8866-128-02 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Analog Circuit, |
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| S8866-128G-02 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Photodiode array combined with signal processing IC for X-ray detection |
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| S8866-64 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Analog Circuit |
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| S8866-64_11 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Photodiode array combined with signal processing IC |
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| S8866-64G-02 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Photodiode array combined with signal processing IC for X-ray detection |
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| S886T | VISHAY |
获取价格 |
MOSMIC for TV-Tuner Prestage with 12 V Supply Voltage |
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| S886T-GS18 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| S886TR | VISHAY |
获取价格 |
MOSMIC for TV-Tuner Prestage with 12 V Supply Voltage |
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| S886TR-GS08 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| S886TR-GS18 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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