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S888T-GS18

更新时间: 2024-11-04 19:59:19
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 109K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

S888T-GS18 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.77外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:10 V
最大漏极电流 (ID):0.02 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最小功率增益 (Gp):16.5 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

S888T-GS18 数据手册

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