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S8910-01

更新时间： 2024-11-04 18:50:19

品牌	Logo	应用领域
HAMAMATSU		光电
页数	文件大小	规格书
2页	94K
描述
PIN Photodiode, 4 X 5 MM, 1.70 MM HEIGHT, MINIATURE, CC-2

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S8910-01 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	4 X 5 MM, 1.70 MM HEIGHT, MINIATURE, CC-2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.60.50
风险等级：	5.82	其他特性：	HIGH SENSITIVITY
配置：	SINGLE	最大暗电源：	0.3 nA
红外线范围：	NO	标称光电流：	0.0003 mA
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	PIN PHOTODIODE
峰值波长：	760 nm	最小反向击穿电压：	20 V
形状：	RECTANGULAR	尺寸：	4.8 mm
Base Number Matches：	1

S8910-01 数据手册

P H O T O D I O D E

Si PIN photodiode

S8910-01

Si PIN photodiode for violet-laser detection

S8910-01 is a Si PIN photodiode developed to detect light emitted from violet-laser diodes. S8910-01 features high sensitivity and high-speed

response in the violet region.

Features

Applications

Active area: φ0.8 mm

Miniature chip carrier package: 4 × 5 × 1.7 ^tmm

High sensitivity: 0.29 A/W Typ. (λ=405 nm)

Violet-laser diode monitor in optical disk drive

(High-speed APC)

Violet-laser detection (λ=405 nm)

High-speed response: 500 MHz Typ. (VR=2.5 V)

■ Absolute maximum ratings

Parameter

Reverse voltage

Operating temperature

Storage temperature

Symbol

VR Max.

Topr

Value

-25 to +85

-40 to +100

Unit

°C

Tstg

■ Electrical and optional characteristics (Ta=25 °C)

Parameter

Spectral response range

Peak sensitivity wavelength

Photo sensitivity

Symbol

Condition

Min.

0.26

0.21

Typ.

320 to 1000

760

Max.

Unit

A/W

µA

λp

λ=405 nm

0.29

0.3

0.01

Short circuit current

Dark current

Isc

100 lx, 2856K

VR=2.5 V

0.3

VR=2.5 V, RL=50 Ω

λ=405 nm, -3 dB

VR=2.5 V, f=1 MHz

Cut-off frequency

300

500

MHz

Terminal capacitance

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