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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.37 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.02 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.16 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S888T-GS18 | TEMIC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| S8890 | HAMAMATSU |
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Long wavelength type APD |
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| S8890_15 | HAMAMATSU |
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Long wavelength type APD |
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| S8890-02 | HAMAMATSU |
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Long wavelength type APD |
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| S8890-05 | HAMAMATSU |
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Long wavelength type APD |
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| S8890-10 | HAMAMATSU |
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Long wavelength type APD |
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| S8890-15 | HAMAMATSU |
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Long wavelength type APD |
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| S8890-30 | HAMAMATSU |
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Long wavelength type APD |
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| S8890-C | AMI |
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Audio Synthesizer IC, CDIP40, |
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| S8890-D | AMI |
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Audio Synthesizer IC, CDIP40, |
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