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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.67 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 16 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DUAL GATE, DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 17.5 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S886TR | VISHAY |
获取价格 |
MOSMIC for TV-Tuner Prestage with 12 V Supply Voltage |
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| S886TR-GS08 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| S886TR-GS18 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| S8880J | PHILIPS |
获取价格 |
NAND Gate, TTL, CDFP14 |
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| S8882 | BOTHHAND |
获取价格 |
T1/CEPT/ISDN-PRI TRANSFORMER |
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| S8887 | BOTHHAND |
获取价格 |
T1/CEPT/ISDN-PRI TRANSFORMER |
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| S888T | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| S888T | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| S888T-GS18 | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| S8890 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Long wavelength type APD |
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