RN4991FS

更新时间： 2024-09-14 13:01:15

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东芝 - TOSHIBA		PC
页数	文件大小	规格书
6页	266K
描述
TRANSISTOR 50 mA, 20 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1F1D, FS6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN4991FS 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.48	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.05 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RN4991FS 数据手册

RN4991

TOSHIBA Transistor

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN4991

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

Unit: mm

And Driver Circuit Applications

ꢀ Includeing two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)

ꢀ With built-in bias resistors

ꢀ Simplify circuit design

ꢀ Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Equivalent Circuit and Bias Resister Values

R1: 10kΩ

(Q1, Q2 Common)

Q1 Maximum Ratings (Ta = 25°C)

JEDEC

―

EIAJ

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

TOSHIBA

Weight: 6.8mg

2-2J1A

CBO

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

100

Q2 Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−50

−5

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−100

2001-06-07

12 3 4 5 6

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