RN49A1FE

更新时间： 2024-09-15 12:23:03

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东芝 - TOSHIBA		开关驱动
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7页	298K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

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RN49A1FE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.52
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 12.27	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN AND PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

RN49A1FE 数据手册

RN49A1FE

TOSHIBA Transistor Silicon PNP·NPN Epitaxial Type

(PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor)

RN49A1FE

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver

Circuit Applications

Unit: mm

•

Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin)

package.

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the parts count.

Reducing the parts count enables the manufacture of ever more

compact equipment and saves assembly costs.

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

1.EMITTER1

(E1)

(B1)

(C2)

(E2)

(B2)

(C1)

2.BASE1

3.COLLECTOR2

4.EMITTER2

5.BASE2

6.COLLECTOR1

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-2N1G

Weight: 0.006 g (typ.)

R1: 2.2 kΩ, R2: 47 kΩ

R1: 22 kΩ, R2: 47 kΩ

Q1: RN2105F equivalent

Q2: RN1108F equivalent

Marking

Equivalent Circuit (top view)

1 5

2007-11-01

12 3 4 5 6 7

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