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RN49P1FS

更新时间： 2024-09-15 12:23:03

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东芝 - TOSHIBA		开关驱动
页数	文件大小	规格书
6页	154K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

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RN49P1FS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.53
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
元件数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.05 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RN49P1FS 数据手册

RN49P1FS

TOSHIBA Transistor Silicon NPN·PNP Epitaxial Type

(PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor)

Preliminary

RN49P1FS

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver

Circuit Applications

Unit: mm

1.0±0.05

0.8±0.05

0.1±0.05

•

Two devices are incorporated into a fine-pitch, Small-Mold (6-pin)

package.

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the parts count.

Reducing the parts count enables the manufacture of ever more

compact equipment and saves assembly costs.

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

1. EMITTER1

2. EMITTER2

3. BASE2

(E1)

(E2)

(B2)

4. COLLECTOR2 (C2)

5. BASE1

(B1)

6. COLLECTOR1 (C1)

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

Weight: 0.001 g (typ.)

R1: 10 kΩ, R2: 10 kΩ

R1: 10 kΩ

Q1: RN1102FS

Q2: RN2111FS

Marking

Equivalent Circuit (top view)

2007-11-01

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN4A	SANKEN	获取价格	Silicon Diode
RN4Z	BL Galaxy Electrical	获取价格	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
RN4Z	LGE	获取价格	High Efficiency Rectifier
RN4Z	SANKEN	获取价格	Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
RN4ZV	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, Silicon,
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RN4ZV3	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, Silicon,
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