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RN5003

更新时间： 2024-09-15 22:23:43

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
4页	137K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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RN5003 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.54
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	1 W
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

RN5003 数据手册

RN5003

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN5003

Motor Drive Circuit Applications

Unit: mm

Power Amplifier Applications

Power Switching Applications

l With built-in bias resistors

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

l Small flat package

l P = 1~2W (mounted on ceramic substrate)

l Complementary to RN6003

Equivalent Circuit

JEDEC

―

JEITA

SC-62

2-5K1A

TOSHIBA

Weight: 0.05g (typ.)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Marking

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

5ꢀ

Base current

0.4

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

500

1000

150

−55~150

°C

stg

* : Mounterd on ceramic substrate (250mm × 0.8t)

2001-10-29

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RN5006	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
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