RN49A4FE

更新时间： 2024-09-15 12:23:03

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关小信号双极晶体管光电二极管驱动
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7页	240K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

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RN49A4FE 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

RN49A4FE 数据手册

RN49A4FE

TOSHIBA Transistor Silicon PNP·NPN Epitaxial Type

(PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor)

RN49A4FE

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver

Circuit Applications

Unit: mm

•

Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin)

package.

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the parts count.

Reducing the parts count enables the manufacture of ever more

compact equipment and saves assembly costs.

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

1.EMITTER1

(E1)

(B1)

(C2)

(E2)

(B2)

(C1)

2.BASE1

3.COLLECTOR2

4.EMITTER2

5.BASE2

6.COLLECTOR1

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-2N1G

Weight: 0.003 g (typ.)

R1: 22 kΩ

R1: 4.7 kΩ

Q1: RN2112F equivalent

Q2: RN1970HFE equivalent

Marking

Equivalent Circuit (top view)

2007-11-01

12 3 4 5 6 7

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