RN49A1

更新时间： 2024-09-15 03:36:23

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	87K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon PNP · NPN Epitaxial Type

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RN49A1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.54
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 2.13
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN AND PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

RN49A1

TOSHIBA Transistor Silicon PNP · NPN Epitaxial Type

(PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN49A1

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Unit: mm

Driver Circuit Applications.

Two devices are incorporated into an Ultra-Super-Mini (6 pin)

package.

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

Reducing the parts count enable the manufacture of ever more

compact equipment and save assembly cost.

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

Weight:

2-2J1A

R1: 2.2 kW, R2: 47 kW

g (typ.)

R1: 22 kW, R2: 47 kW

Q1: RN2105F

Q2: RN1108F

Marking

Equivalent Circuit (top view)

1 5

2002-01-16

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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