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RN2108

更新时间： 2024-02-06 21:03:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管PC
页数 文件大小 规格书
6页 171K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

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RN2108 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.47
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RN2108 数据手册

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RN2107~RN2109  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
RN2107,RN2108,RN2109  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
Unit: mm  
and Driver Circuit Applications  
l With built-in bias resistors  
l Simplify circuit design  
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
l Complementary to RN1107~RN1109  
Equivalent Circuit and Bias Resister Values  
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
RN2107  
RN2108  
RN2109  
10  
22  
47  
47  
47  
22  
JEDEC  
EIAJ  
―
―
TOSHIBA  
Weight: 2.4mg  
2-2H1A  
Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
−50  
−50  
V
V
CBO  
CEO  
RN2107~RN2109  
Collector-emitter voltage  
RN2107  
RN2108  
RN2109  
−6  
Emitter-base voltage  
V
V
−7  
EBO  
−15  
Collector current  
I
−100  
100  
mA  
mW  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
*: Total rating  
P
C*  
RN2107~RN2109  
T
150  
j
T
−55~150  
°C  
stg  
1
2001-06-07  
123456

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RN2108 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DTA124EETL ROHM

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DDTA124XE-7-F DIODES

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DDTA124EE-7-F DIODES

功能相似

 PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN2108(TE85L) TOSHIBA

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RN2108(TE85R) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purp
RN2108,LF(CT TOSHIBA

获取价格

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RN2108ACT TOSHIBA

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RN2108ACT(TPL3) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,80MA I(C),SOT-883
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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
RN2108F(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR

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