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RN2106F

更新时间： 2024-11-14 20:30:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 544K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN2106F 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.76
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

RN2106F 数据手册

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RN2101F∼RN2106F  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
RN2101F,RN2102F,RN2103F  
RN2104F,RN2105F,RN2106F  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
Unit: mm  
And Driver Circuit Applications  
ꢀ With built-in bias resistors  
ꢀ Simplify circuit design  
ꢀ Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
ꢀ Complementary to RN1101F~RN1106F  
Equivalent Circuit and Bias Resister Values  
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
RN2101F  
RN2102F  
RN2103F  
RN2104F  
RN2105F  
RN2106F  
4.7  
10  
4.7  
10  
22  
47  
47  
47  
22  
47  
2.2  
4.7  
JEDEC  
EIAJ  
TOSHIBA  
―
―
2-2HA1A  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
−50  
−50  
V
V
CBO  
CEO  
RN2101F~2106F  
Collector-emitter voltage  
RN2101F~2104F  
RN2105F, 2106F  
−10  
Emitter-base voltage  
V
V
EBO  
−5  
Collector current  
I
−100  
100  
mA  
mW  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
C
RN2101F~2106F  
T
150  
j
T
−55~150  
°C  
stg  
1
2001-06-07  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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