Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> RN2105,LF(CT

RN2105,LF(CT

更新时间： 2024-02-29 10:16:39

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东芝 - TOSHIBA		开关驱动 PC
页数	文件大小	规格书
8页	572K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

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RN2105,LF(CT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

RN2105,LF(CT 数据手册

RN2101∼RN2106

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2101, RN2102, RN2103,

RN2104, RN2105, RN2106

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

Unit: mm

z Built-in bias resistors

z Simplified circuit design

z Fewer parts and simplified manufacturing process

z Complementary to RN1101~RN1106

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN2101

RN2102

RN2103

RN2104

RN2105

RN2106

4.7

2.2

4.7

JEDEC

―

EIAJ

TOSHIBA

Weight: 2.4 mg

2-2H1A

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

−50

CBO

CEO

RN2101~2106

Collector-emitter voltage

RN2101~2104

RN2105, 2106

−10

Emitter-base voltage

EBO

−5

Collector current

−100

100

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN2101~2106

150

stg

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2007-11-01

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN2105ACT	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2105CT	TOSHIBA	获取价格	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN2105CT(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-883
RN2105F	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, 3 PIN, BIP General Pur
RN2105FS	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 50 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, FSM, 2-1E1A, 3 PIN, BIP General
RN2105FS(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	Digital Transistors -50mA -20volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
RN2105FT	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
RN2105MFV	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2105MFV(TL3PAV)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2105MFV(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms

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