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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN2104FT | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP Genera |
|
| RN2104MFV | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
|
| RN2105 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
|
| RN2105(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purp |
|
| RN2105(TE85R) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purp |
|
| RN2105,LF(CT | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
|
| RN2105ACT | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
|
| RN2105CT | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver |
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| RN2105CT(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-883 |
|
| RN2105F | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, 3 PIN, BIP General Pur |
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