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RN1105FV

更新时间： 2024-11-21 20:36:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 524K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1105FV 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21.36最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

RN1105FV 数据手册

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RN1101FV∼RN1106FV  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1101FV, RN1102FV, RN1103FV  
RN1104FV, RN1105FV, RN1106FV  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and  
Driver Circuit Applications  
Unit in mm  
ꢀ
Ultra-small package, suited to very high density mounting  
1.2 ± 0.05  
ꢀ
Incorporating bias resistance into the transistor reduces the number of  
parts, so enabling the manufacture of ever more compact equipment and  
lowering assembly cost.  
0.80 ± 0.05  
1
ꢀ
ꢀ
A wide range of resistor values is available for use in various circuits.  
Complementary to RN2101FV~RN2106FV  
3
2
Equivalent Circuit and Bias Resister Values  
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
1.BASE  
2.EMITTER  
3.COLLECTOR  
RN1101FV  
RN1102FV  
RN1103FV  
RN1104FV  
RN1105FV  
RN1106FV  
4.7  
10  
4.7  
10  
22  
47  
47  
47  
VESM  
JEDEC  
JEITA  
―
―
22  
47  
2-1L1A  
TOSHIBA  
2.2  
4.7  
Weight: 0.0015 g(typ.)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
V
V
50  
50  
V
V
CBO  
CEO  
RN1101FV~1106FV  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
RN1101FV~1104FV  
RN1105FV, 1106FV  
10  
V
V
EBO  
5
Collector current  
I
100  
150  
150  
−55~150  
mA  
mW  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P (Note)  
C
RN1101FV~1106FV  
T
j
T
stg  
°C  
Note : Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6mmt)  
0.5mm  
0.45mm  
0.45mm  
0.4mm  
2004-06-07  
1
12345678

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与RN1105FV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1105MFV TOSHIBA

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 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN1105MFV(TL3KYOCE TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RN1105MFV(TPL3) TOSHIBA

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 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1106(TE85L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purp
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 		Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN1106CT(TPL3) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),SMT
RN1106F TOSHIBA

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 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

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