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RF501B2SFH

更新时间: 2024-11-05 13:12:55
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罗姆 - ROHM 二极管快恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 180K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, CPD, SC-63, 3/2 PIN

RF501B2SFH 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:CPD, SC-63, 3/2 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:FAST RECOVERY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.92 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流:40 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向电流:1 µA
最大反向恢复时间:0.03 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RF501B2SFH 数据手册

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RF501B2S  
Diodes  
Fast recovery diode  
(Silicon epitaxial planer)  
RF501B2S  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure  
General rectification  
6.0  
6.5±0.2  
2.3±0.2  
5.1±0.2  
ꢀꢀꢀ 0.1  
ꢀꢀꢀ 0.1  
0.5±0.1  
C0.5  
zFeatures  
1) Power mold type (CPD)  
2) High reliability  
3) Low VF  
1.6  
1.6  
4) Very fast recovery  
5) Low switching loss  
2.3 2.3  
0.75  
CPD  
0.9  
(2)  
0.65±0.1  
(3)  
0.5±0.1  
1.0±0.2  
(1)  
zStructure  
2.3±0.2 2.3±0.2  
ROHM : CPD  
zConstruction  
JEITA : SC-63  
Silicon epitaxial planer  
Manufacture Date  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
2.0±0.05  
φ1.55±0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
4.0±0.1  
8.0±0.1  
0.4±0.1  
0
TL  
φ3.0±0.1  
6.8±0.1  
8.0±0.1  
2.7±0.2  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
V
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
200  
200  
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak 60Hz1cyc)  
Junction temperature  
5
40  
150  
Io  
IFSM  
Tj  
A
A
Storage temperature  
-55 to +150  
Tstg  
(*1) Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 lo per diode, TC=180℃  
zElectrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Typ.  
0.86  
0.015  
15  
Max.  
0.92  
1
Unit  
V
VF  
IR  
IF=5A  
-
-
-
VR=200V  
Reverse current  
µA  
ns  
IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25*IR  
Reverse recovery time  
30  
trr  
Rev.B  
1/3  

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