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RF505TF6S_11

更新时间： 2024-11-18 09:50:19

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罗姆 - ROHM		二极管超快速恢复二极管
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5页	1126K
描述
Super Fast Recovery Diode

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RF505TF6S_11 数据手册

Data Sheet

Super Fast Recovery Diode

RF505TF6S

Series

Dimensions (Unit : mm)

Structure

Standard Fast Recovery

Applications

General rectification

RF505

TF6S

Features

①

②

1)Low switching loss

2)High current overload capacity

Construction

Silicon epitaxial planer

ROHM : TO220NFM

①

②

Manufacture Year

Manufacture Week

Absolute maximum ratings (Tc=25C)

Parameter

Conditions

Duty≤0.5

Symbol

V_RM

V_R

Limits

600

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Direct voltage

60Hz half sin wave, Resistance load, Tc=125°C

60Hz half sin wave, Non-repetitive

one cycle peak value, Tj=25°C

Average rectified forward current

I_FSM

Forward current surge peak

Junction temperature

Storage temperature

150

C

Tstg

55 to 150

Electrical characteristics (Tj=25C)

Parameter

Conditions

I_F=5A

Symbol

V_F

Min.

－

Typ.

1.3

0.03

Max.

1.7

Unit

Forward voltage

V_R=600V

Reverse current

I_R

－

μA

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25×I_R

junction to case

Reverse recovery time

Thermal resistance

trr

－

Rth(j-c)

－

°C/W

www.rohm.com

2011.10 - Rev.A

1/4

12 3 4 5

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