RF501B2STL

更新时间： 2024-11-18 13:12:59

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罗姆 - ROHM		二极管快恢复二极管
页数	文件大小	规格书
4页	180K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 5A, 200V V(RRM),

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RF501B2STL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.92 V	最大非重复峰值正向电流：	40 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	5 A	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.03 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

RF501B2STL 数据手册

RF501B2S

Diodes

Fast recovery diode

(Silicon epitaxial planer)

RF501B2S

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure

General rectification

6.0

6.5±0.2

2.3±0.2

5.1±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

0.5±0.1

C0.5

zFeatures

1) Power mold type (CPD)

2) High reliability

3) Low V_F

1.6

①

4) Very fast recovery

5) Low switching loss

2.3 2.3

0.75

CPD

0.9

（2）

0.65±0.1

（3）

0.5±0.1

1.0±0.2

（1）

zStructure

2.3±0.2 2.3±0.2

ROHM : CPD

zConstruction

JEITA : SC-63

Silicon epitaxial planer

①

Manufacture Date

zTaping dimensions (Unit : mm)

2.0±0.05

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

4.0±0.1

8.0±0.1

0.4±0.1

φ3.0±0.1

6.8±0.1

8.0±0.1

2.7±0.2

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

200

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

150

I_FSM

℃

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

(*1) Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 lo per diode, TC=180℃

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

0.86

0.015

Max.

0.92

Unit

V_F

I_R

I_F=5A

V_R=200V

Reverse current

µA

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25*I_R

Reverse recovery time

trr

Rev.B

1/3

12 3 4

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