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RF505BGE6S

更新时间: 2024-11-05 19:09:07
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罗姆 - ROHM /
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7页 1317K
描述
Rectifier Diode,

RF505BGE6S 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
Base Number Matches:1

RF505BGE6S 数据手册

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Super Fast Recovery Diode  
RF505BGE6S  
Datasheet  
Series  
Dimensions (Unit : mm)  
Land size figure (Unit : mm)  
6.0  
Standard Fast Recovery  
Application  
1.6  
1.6  
General rectification  
TO-252  
2.3 2.3  
Features  
1) Low switching loss  
Structure  
Cathode  
ROHM : TO-252GE  
JEITA : -  
Low forward voltage  
2)  
3)  
High current overload capacity  
Open  
Anode  
Taping specifications (Unit : mm)  
Construction  
Silicon epitaxial planar type  
Absolute maximum ratings (at Tc= 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Symbol  
VRM  
VR  
Conditions  
Duty0.5  
Limits  
Unit  
V
600  
600  
5
Reverse direct voltage  
V
60Hz half sin waveform,  
resistive load, Tc=90°CMax  
60Hz half sin waveform,  
non-repetitive, Tj=25°C  
Io  
Average rectified foward current  
Peak forward surge current  
Junction temperature  
A
IFSM  
Tj  
50  
A
-
-
150  
°C  
Tstg  
Storage temperature  
55 150 °C  
Electrical characteristics (at Tj= 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Forward voltage  
Conditions  
IF=5A  
Symbol  
VF  
Min. Typ. Max. Unit  
-
-
-
-
1.3  
-
1.7  
10  
30  
6
V
A  
VR=600V  
IR  
Reverse current  
IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR  
Junction to case  
Reverse recovery time  
trr  
22  
-
ns  
Thermal resistance(1)  
Rth(j-c)  
°C / W  
(1) Value is guaranteed by design  
www.rohm.com  
© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2020/03/10_Rev.001  
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