RF501PS2S

更新时间： 2024-11-18 09:50:19

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罗姆 - ROHM		二极管快恢复二极管
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4页	192K
描述
Fast recovery diode

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RF501PS2S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	R-PDSO-F8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
应用：	VERY FAST RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.92 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
JESD-609代码：	e2	最大非重复峰值正向电流：	70 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.03 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10

RF501PS2S 数据手册

RF501PS2S

Diodes

Fast recovery diode

RF501PS2S

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure

General rectification

(7)

(6)

(5)

(8)

4.56

zFeatures

0～0.1

1) High power mold type (TSOP8)

2) Low V_F

①

3) Very fast recovery

4) Low switching loss

1.27

0.75

(1)

(2)

(3)

(4)

＋0.1

0.22

－0.05

＋0.1

－0.05

0.4

TSOP8

0.9±0.05

5.0±0.1

zStructure

zConstruction

Silicon epitaxial planar

ROHM : TSOP8

①

Manufacture Date

zTaping dimensions (Unit : mm)

2.0±0.05

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

8.0±0.1

4.0±0.1

0.37±0.1

1PIN

φ1.55±0.05

6.7±0.2

1.2±0.2

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

200

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

150

I_FSM

℃

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

(*1) Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

0.86

0.02

Max.

0.92

Unit

V_F

I_R

I_F=5A

V_R=200V

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25*I_R

Reverse current

µA

Capacitance between terminals

trr

1/3

12 3 4

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