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RF505B6S_11

更新时间： 2024-11-05 09:50:19

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罗姆 - ROHM		二极管超快速恢复二极管
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Super Fast Recovery Diode

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RF505B6S_11 数据手册

Data Sheet

Super Fast Recovery Diode

RF505B6S

Series

Dimensions（Unit : mm）

Land size figure (Unit : mm)

6.0

Standard Fast Recovery

(2)

1.6

Applications

General rectification

1.6

(3)

(1)

CPD

Features

1)Power mold type. (CPD)

2)High switching speed

3)Low Reverse current

2.3 2.3

Structure

(2)

Production month

Construction

Silicon epitaxial planar

(1)

(3)

Taping dimensions（Unit : mm）

Absolute maximum ratings（Tc=25C）

Parameter

Conditions

Limits

Unit

Symbol

V_RM

V_R

Repetitive peak Reverse voltage

Reverse voltage

600

Duty0.5

Direct voltage

60Hz half sin wave,resistive load

Average rectified forward current

Tc=42C

60Hz half sin wave, Non-repetitive

I_FSM

Forward current surge peak

one cycle peak value, Tj=25C

Junction temperature

Storage temperature

150

C

55 to 150

Tstg

Electrical characteristics（Tj=25C）

Parameter

Conditions

I_F=5.0A

Min.

Typ.

1.3

Max.

1.7

Symbol

V_F

Unit

Forward voltage

V_R=600V

Reverse current

I_R

trr

0.05

μA

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25×I_R

junction to lead

Reverse recovery time

Thermal resistance

－

Rth(j-l)

C/W

www.rohm.com

2011.05 - Rev.A

1/3

12 3 4

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