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RF501BM2SFHTL

更新时间： 2024-11-18 20:09:43

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罗姆 - ROHM		超快速恢复二极管测试
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7页	1198K
描述
Rectifier Diode,

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RF501BM2SFHTL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SC-63, 3/2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.49	应用：	SUPER FAST RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.92 V
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	40 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向电流：	1 µA
最大反向恢复时间：	0.025 µs	反向测试电压：	200 V
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

RF501BM2SFHTL 数据手册

Super Fast Recovery Diode

Datasheet

RF501BM2SFH

AEC-Q101 Qualified

Series

Dimensions (Unit : mm)

Land Size Figure (Unit : mm)

6.0

Standard Fast Recovery

Application

1.6

General rectification

2.3 2.3

TO-252

Cathode

Features

Structure

ROHM : TO-252

JEITA : SC-63

1) Low switching loss

: Manufacture Date

Low forward voltage

Open

Anode

Taping Dimensions (Unit : mm)

2.0±0.05

φ1.55±0.1

1.550.1

4.0±0.1

8.0±0.1

0.4±0.1

Construction

ꢀꢀꢀꢀꢀ

Silicon epitaxial planar type

φ3.0±0.1

3.00.1

6.8±0.1

8.0±0.1

2.7±0.2

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

200

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Direct voltage

60Hz half sin wave , Resistive load

Average rectified foward current

Forward current surge peak

Operating junction temperature

Storage temperature

60Hz half sin wave ,Non-repetitive at T_j=25°C

I_FSM

T_j

150

°C

T_stg

55 to 150 °C

Electrical Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=5A

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

0.85 0.92

A

V_R=200V

I_R

Reverse current

I_F=0.5A, I_R=1A, Irr=0.25×I_R

Junction to case

Reverse recovery time

Thermal resistance

trr

6.0

R_th(j-c)

°C / W

2018.10 - Rev.C

1/4

12 3 4 5 6 7

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