RF501B2S

更新时间： 2024-09-14 21:55:23

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罗姆 - ROHM		二极管快恢复二极管
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描述
Fast recovery Diodes (Silicon Epitaxial Planar)

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RF501B2S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.8
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	VERY FAST RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.93 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	40 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.03 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10

RF501B2S 数据手册

1series

Diodes

Fast recovery Diodes

(Silicon Epitaxial Planar)

RF 1 series

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

High frequency rectification

CPD

5.5

2.3

0.5

zFeatures

1) Ultra low V_Fvery fast recovery

2) Fast recovery

0.55

1.2

2.3 2.3

3) Low switching loss

(1) Anode

(2) Cathode

(3) Anode

4) Standard package TO-220FN, CPD

( )

TO-220FN

4.5

φ3.2

10.0

2.8

1.2

1.3

(1) Anode

(2) Cathode

(3) Anode

0.8

0.75

2.6

2.54

( )( )( )

1 2 3

TO-220FN Center tap type cathode common, Dual elements

CPD Center tap type cathode common, Dual elements

Ultra low V

type FRD Fast recovery type FRD

200V

Ultra low V

200V

Single

type FRD Fast recovery type FRD

200V

Single

200V

Dual

Single

Dual

Single

Dual

−

10A

15A

16A

20A

30A

−

10A

−

1/2

12 3

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