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RF501B2S_09

更新时间： 2024-09-16 06:07:31

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罗姆 - ROHM		二极管快恢复二极管
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Fast Recovery Diode

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RF501B2S_09 数据手册

Fast Recovery Diode

RF501B2S

zLand size figure(Unit : mm)

zApplications

zDimensions（Unit : mm）

6.0

General rectification

zFeatures

1.6

1)Power mold type.(CPD)

2)High reliability

3)Low Vf

CPD

4)Very fast recovery

5)Low switching loss

2.3 2.3

zStructure

zConstruction

(2)

Silicon epitaxial planer

(1) (3)

zTaping specifications(Unit : mm)

zAbsolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

200

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

200

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz / 1cyc)(*1

Junction temperature

I_FSM

150

℃

Storage temperature

-55～+150

Tstg

(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=128°C

zElectrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

0.86

0.015

Max.

0.92

Unit

V_F

I_R

Forward voltage

Reverse current

I_F=5A

µA

V_R=200V

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25*I_R

Reverse recovery time

trr

www.rohm.com

2009.11 - Rev.G

1/3

12 3 4

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