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RB751

更新时间： 2024-10-28 22:24:23

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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2页	65K
描述
Schottky barrier diode

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RB751 数据手册

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RB751S-40 / RB751V-40

Diodes

Schottky barrier diode

RB751S-40 / RB751V-40

!Applications

High speed switching

For Detection

!External dimensions (Units : mm)

RB751S-40

CATHODE MARK

!Features

5

1) Small surface mounting type.

(EMD2, UMD2)

2) Low reverse current and low

forward voltage.

0.12±0.05

0.3±0.05

0.8±0.05

0.6±0.1

ROHM : EMD2

EIAJ : SC-79

JEDEC : SOD-523

3) High reliability.

RB751V-40

CATHODE MARK

CATHODE MARK

!Construction

Silicon epitaxial planar

5

5

+0.1

−0.05

+0.1

0.3±0.05

1.25±0.1

0.1

0.3±0.05

0.1

−0.05

1.25±0.1

+0.2

−0.1

+0.2

0.7

0.7

−0.1

ROHM : UMD2

EIAJ : SC-76

JEDEC : SOD-323

∗ There are two different markings.

!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Peak reverse voltage

DC reverse voltage

Mean rectifying current

Peak forward surge current

Junction temperature

Storage temperature

* 60 Hz for 1

Symbol

Limits

40

Unit

V

VRM

V

R

30

V

I

O

30

mA

mA

˚C

*

I

FSM

200

125

Tj

Tstg

−40~+125

˚C

!Electrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

−

Max.

Unit

V

Conditions

V

F

−

−

−

0.37

0.5

−

I = 1mA

F

Reverse current

I

R

−

µA

pF

V

R

= 30V

Capacitance between terminals

Note) ESD sensitive product handling required.

CT

2.0

VR

= 1V, f = 1MHz

12

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