RB751CS-40

更新时间： 2024-02-02 23:48:56

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罗姆 - ROHM		整流二极管肖特基二极管光电二极管
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Schottky barrier diode

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RB751CS-40 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	VMN2, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.7	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.03 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB751CS-40 数据手册

Schottky barrier diode

RB751CS-40

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

Low current rectification

0.55

0.16±0.05

0.6±0.05

zFeatures

1) Ultra Small mold type(VMN2)

2) Low V_F

VMD2

3) High reliability

0.37±0.03

0.35±0.1

zStructure

ROHM :V M N 2

dot (year w eek factory)+ day

Silicon epitaxial planer

zTaping dimensions (Unit : mm)

φ1.55

0.2±0.05

2±0.05

4±0.1

φ0.5

0.52

2±0.05

4.0±0.1

0.7±0.05

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak(60Hz/1cyc)

Junction temperature

℃

200

I_FSM

125

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

℃

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.37

0.5

Unit

Forward voltage

V_F

I_R

I_F=1mA

Reverse current

µA

V_R=30V

Capacitance between terminals

V_R=1V , f=1MHz

www.rohm.com

2009.12 - Rev.A

1/3

12 3 4

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