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RB751CS-40FH

更新时间： 2024-10-29 21:14:23

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	800K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, 40V V(RRM), Silicon, VMN2, 2 PIN

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RB751CS-40FH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	VMN2, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.7	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.03 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB751CS-40FH 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB751CS-40FH

Datasheet

AEC-Q101 Qualified

lApplication

lDimensions (Unit : mm)

lLand size figure (Unit : mm)

Low current rectification

0.16±0.05

0.55

0.6±0.05

lFeatures

1) Ultra Small mold type

(VMN2)

VMN2

Low V_F

lStructure

Cathode

0.156

3) High reliability

0.37±0.03

0.35±0.1

ROHM : VMN2

dot (year week factory)+day

lConstruction

Anode

Silicon epitaxial planar

lTaping specifications (Unit : mm)

lAbsolute maximum ratings (Ta= 25°C)

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Limits

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

°C

I_FSM

200

125

Storage temperature

Tstg

-40 to +125

lElectrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Conditions

I_F=1mA

Symbol Min. Typ. Max.

Unit

V_F

I_R

Forward voltage

0.37

0.5

V_R=30V

Reverse current

V_R=1V, f=1MHz

Capacitance between terminals

www.rohm.com

2013.04 - Rev.B

1/5

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