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RB751G-40

更新时间： 2024-02-21 07:07:35

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TRSYS		二极管
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2页	99K
描述
Schottky barrier Diodes

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RB751G-40 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	1.68	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.03 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

RB751G-40 数据手册

SOD-723

RB751G-40 Schottky barrier Diodes

FEATURES

ꢀ

Small surface mounting type

Low reverse current and low forward voltage

High reliability

MARKING: 5

Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T_A=25℃

Parameter

Peak reverse voltage

Symbol

V_RM

V_R

Limits

Unit

DC reverse voltage

Mean rectifying current

Peak forward surge current

Junction temperature

Storage temperature

I_O

℃

I_FSM

T_j

200

125

T_stg

-40~125

℃

Electrical Ratings @T_A=25℃

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max. Unit

Conditions

I_F=1mA

Forward voltage

V_F

I_R

0.37

0.5

Reverse current

μA

V_R=30V

Capacitance between terminals

C_T

V_R=1V,f=1MHZ

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