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RB550EA

更新时间: 2024-11-28 03:37:55
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罗姆 - ROHM 整流二极管肖特基二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 193K
描述
Schottky barrier diode

RB550EA 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:TSMD5, 5 PIN
针数:5Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.64Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.49 VJESD-30 代码:R-PDSO-G5
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:5
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:0.7 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V最大反向电流:50 µA
反向测试电压:30 V子类别:Other Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

RB550EA 数据手册

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RB550EA  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB550EA  
zApplications  
z External dimensions (Unit : mm)  
z Land size figure (Unit : mm)  
0.8  
Low current rectification  
2.9±0.1  
0.400..105  
Eachlead has same dimension  
0.16±0.1  
0.06  
(5)  
(4)  
zFeatures  
0.350.45  
0.95  
0.450.35  
0.95  
0.7  
1) Small mold type. (TSMD5)  
2) Low VF, low IR.  
3) High reliability.  
0~0.1  
1.9  
0.33±0.03  
(1)  
(2)  
0.95  
(3)  
TSMD5  
0.7±0.1  
0.85±0.1  
1.0Max  
0.95  
1.9±0.2  
zStructure  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
ROHM : TSMD5  
dot(year week factory) + day  
z Taping specifications (Unit : mm)  
φ1.55±0.05  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3±0.1  
φ1.1±0.1  
4.0±0.1  
3.2±0.08  
1.1±0.08  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Reverse voltage (DC)  
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak t=1msec)  
Junction temperature  
Limits  
30  
0.7  
Symbol  
VR  
Io  
IFSM  
Tj  
Unit  
V
A
A
12  
150  
-40 to +150  
Storage temperature  
Tstg  
(*1) Rating of per diode.  
zElectrical characteristics (Ta=25°C, Rating of per diode.)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
VF1  
Min.  
0.39  
-
Typ.  
0.45  
1
Max.  
Unit  
V
Forward voltage  
0.49  
30.00  
50  
IF=0.7A  
VR=10V  
VR=30V  
IR1  
µA  
µA  
Reverse current  
IR2  
5.0  
C=100PF,R=1.5KΩ  
Forwad and reverse : 1 times  
ESD break down voltage  
ESD  
15  
-
-
KV  
1/3  

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