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RB550VA-30_1

更新时间： 2024-11-26 07:03:43

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	120K
描述
Schottky barrier diode

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RB550VA-30_1 数据手册

RB550VA-30

Diodes

Schottky barrier diode

RB550VA-30

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

General rectification

1.1

0.17±0.1

ꢀꢀ 0.05

1.3±0.05

zFeatures

1) Small mold type (TUMD2)

2) Low V^F,Low IR

3) High reliability

TUMD2

zStructure

Silicon epitaxial planar

zStructure

0.8±0.05

0.6±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

ROHM : TUMD2

dot (year week factory) + day

zTaping dimensions (Unit : mm)

φ1.55±0.1

0.25±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

4.0±0.1

φ1.0±0.2

ꢀꢀꢀꢀꢀ0

1.43±0.05

0.9±0.08

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak

Junction temperature

I_FSM

150

-40 to +150

℃

Storage temperature

Tstg

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

0.45

0.48

Max.

0.49

0.52

Unit

Conditions

I_F=700mA

I_F=1A

V_F2

V_R=10V

I_R

µA

Rev.D

1/3

12 3 4

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