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RB550VA-30_11

更新时间： 2024-11-26 09:37:51

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	993K
描述
Schottky barrier Diode

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RB550VA-30_11 数据手册

Data Sheet

Schottky barrier Diode

RB550VA-30

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

1.1

0.17±0.1

ꢀꢀ 0.05

1.3±0.05

Features

1)Small mold type（TUMD2）

2)Low V_F,Low I_R

3)High reliability

TUMD2

Construction

Silicon epitaxial planar

Structure

0.8±0.05

0.6±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

ROHM : TUMD2

dot (year week factory) + day

Taping specifications(Unit : mm)

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

0.25±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.2

ꢀꢀꢀꢀꢀ0

1.43±0.05

0.9±0.08

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

0.45

0.48

Max.

0.49

0.52

Unit

Conditions

I_F=700mA

I_F=1A

Forward voltage

Reverse current

V_F2

I_R

V_R=10V

μA

www.rohm.com

1/3

2011.05 - Rev.D

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RB550VA-30FHTR	ROHM	获取价格	Rectifier Diode,
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RB550VAM-30TR	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, SC-108B, 2 PIN
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RB550VM-30FH	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon, SC-90/A, 2 PIN
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