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RB550VYM-30FH

更新时间： 2024-11-26 20:54:35

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	454K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, TUMD2M, 2 PIN

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RB550VYM-30FH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TUMD2M, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.64	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB550VYM-30FH 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB550VYM-30FH

Data Sheet

lApplication

lDimensions (Unit : mm)

lLand Size Figure (Unit : mm)

General rectification

1.1

+0.10

-0.05

0.17

1.4±0.1

+0.20

-0.10

0.60

0.8±0.05

1.0±0.10

(1)

lFeatures

1) Small mold type

(TUMD2M)

TUMD2M

0～0.1

2) High reliability

(1) Cathode

(2)

Low V_F

lStructure

ROHM : TUMD2M

: Manufacture date and factory

(2) Anode

lConstruction

lTaping Dimensions (Unit : mm)

2.0±0.05

Silicon epitaxial planar type

+0.1

4.0±0.1

0.25±0.05

Φ 1.5

-0

+0.2

-0

1.53±0.03

0.9±0.08

Φ 1.0

lAbsolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Direct reverse voltage

Glass epoxy board mounted, 60Hz half sin wave,

resistive load , T_c=100ºC Max.

60Hz half sin wave, Non-repetitive at

T_a=25ºC , 1cycle

Average forward rectified current

Non-repetitive forward current surge peak I_FSM

T_j

150

Operating junction temperature

Storage temperature

°C

T_stg

-40 to +150 °C

lElectrical Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Conditions

I_F=0.7A

Symbol

V_F1

Min. Typ. Max. Unit

0.45 0.49

0.48 0.52

Forward voltage

I_F=1.0A

V_F2

V_R=10V

I_R

Reverse current

www.rohm.com

2015.05 - Rev.A

1/5

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