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RB550VA-30FH

更新时间: 2024-11-07 20:53:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 786K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, TUMD2, 2 PIN

RB550VA-30FH 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
包装说明:R-PDSO-F2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.75其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:30 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RB550VA-30FH 数据手册

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Data Sheet  
AEC-Q101 Qualified  
Schottky barrier Diode  
RB550VA-30FH  
Applications  
Dimensions(Unit : mm)  
Land size figure (Unit : mm)  
General rectification  
1.1  
0.17±0.1  
ꢀꢀ 0.05  
1.3±0.05  
Features  
1)Small mold typeTUMD2)  
2)Low VF, Low IR  
3)High reliability  
TUMD2  
Construction  
Silicon epitaxial planar  
Structure  
0.8±0.05  
0.6±0.2  
ꢀꢀꢀ 0.1  
ROHM : TUMD2  
dot (year week factory) + day  
Taping specifications(Unit : mm)  
φ1.55±0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
0.25±0.05  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0
4.0±0.1  
φ1.0±0.2  
ꢀꢀꢀꢀꢀ0  
1.43±0.05  
0.9±0.08  
Absolute maximum ratings(Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
Unit  
Reverse voltage (repetitive)  
Reverse voltage (DC)  
30  
V
V
VR  
30  
Average rectified forward current  
Forward current surge peak (60Hz1cyc)  
Junction temperature  
1
Io  
IFSM  
A
3
A
150  
Tj  
°C  
°C  
Storage temperature  
40 to 150  
Tstg  
Electrical characteristics(Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
VF1  
Min.  
Typ.  
0.45  
0.48  
1
Max.  
0.49  
0.52  
30  
Unit  
V
Conditions  
-
-
-
IF=700mA  
IF=1A  
Forward voltage  
Reverse current  
VF2  
V
IR  
VR=10V  
μA  
www.rohm.com  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/3  
2011.05 - Rev.D  

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