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RB550SS-30T2R

更新时间: 2024-11-26 21:08:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 464K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon,

RB550SS-30T2R 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:7.81其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-N2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:30 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RB550SS-30T2R 数据手册

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Data Sheet  
Schottky Barrier Diode  
RB550SS-30  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
Land size figure (Unit : mm)  
Small current rectification  
0.8  
Features  
1)Small mold type (KMD2)  
2)High reliability  
3)Low IR  
KMD2  
0~0.03  
Structure  
0.8±0.05  
0.6±0.03  
0.7±0.05  
ROHM : KMD2  
JEDEC :-  
JEITA : -  
Construction  
Silicon epitaxial planer  
dot (year week factory)  
Taping dimensions (Unit : mm)  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Limits  
30  
Unit  
V
Symbol  
VRM  
VR  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
30  
V
Average rectified forward current (*1)  
0.5  
A
Io  
IFSM  
Forward current surge peak (60Hz1cyc.)  
5
A
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
Tj  
C  
C  
40 to 150  
Tstg  
(*1) On the Glass epoxy board , 180°Half Sine wave  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Forward Voltage  
Symbol  
Min.  
Typ.  
0.53  
1.00  
Max.  
0.59  
8.00  
Unit  
V
Conditions  
IF=0.5A  
VF  
IR  
-
-
Reverse Current  
VR=15V  
μA  
www.rohm.com  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2011.12 - Rev.A  
1/4  

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Rectifier Diode,