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RB550SS-30T2R

更新时间： 2024-09-17 21:08:51

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	464K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon,

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RB550SS-30T2R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	7.81	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB550SS-30T2R 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB550SS-30

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

Small current rectification

0.8

Features

1)Small mold type (KMD2)

2)High reliability

3)Low I_R

KMD2

0～0.03

Structure

0.8±0.05

0.6±0.03

0.7±0.05

ROHM : KMD2

JEDEC :-

JEITA : -

Construction

Silicon epitaxial planer

dot (year week factory)

Taping dimensions (Unit : mm)

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

Unit

Symbol

V_RM

V_R

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

0.5

I_FSM

Forward current surge peak (60Hz･1cyc.)

Junction temperature

Storage temperature

150

C

40 to 150

Tstg

(*1) On the Glass epoxy board , 180°Half Sine wave

Electrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Forward Voltage

Symbol

Min.

Typ.

0.53

1.00

Max.

0.59

8.00

Unit

Conditions

I^F=0.5A

V_F

I^R

Reverse Current

VR=15V

μA

www.rohm.com

2011.12 - Rev.A

1/4

12 3 4 5 6 7

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