RB550EAFH

更新时间： 2024-09-17 13:12:51

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罗姆 - ROHM		整流二极管肖特基二极管测试光电二极管
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4页	306K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.7A, 30V V(RRM), Silicon, TSMD5, 5 PIN

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RB550EAFH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSMD5, 5 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.66	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
元件数量：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.7 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB550EAFH 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB550EA

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

Low current rectification

0.8MIN.

2.9±0.1

0.4_ꢀ^＋_－⁰

0.05

0.16±0.1

0.06

同寸法

各リードとも

Each lead has same dimension

(5)

(4)

0.45

0.35

Features

0.45

0.35

0.6

1)Small mold type.（TSMD5）

2)Low V_F,Low I_R

0.1

0～

3)High reliability

0.95 0.95

1.9

0.33±0.03

(1)

(2)

0.95

(3)

TSMD5

0.7±0.1

0.85±0.1

1.0Max

0.95

1.9±0.2

Construction

Silicon Epitaxial Planer

Structure

ROHM : TSMD5

dot(year week factory) + day

Taping specifications(Unit : mm)

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3±0.1

φ1.1±0.1

4.0±0.1

3.2±0.08

1.1±0.08

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

Unit

Reverse voltage (DC)

0.7

Average rectified forwarfd current (*1)

Forward current surge peak (t=1msec)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1)Rating of per diode.

Electrical characteristics(Ta=25°C, Rating of per diode.)

Parameter

Forward voltage

Symbol

V_F1

Min.

0.39

Typ.

0.45

Max.

0.49

30.00

Unit

Conditions

I_F=0.7A

IR1

μA

V_R=10V

V_R=30V

Reverse current

IR2

5.0

C=100_PF,R=1.5KΩ

Forward and reverse : 1 times

ESD break down voltage

ESD

www.rohm.com

1/3

2011.05 - Rev.A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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