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RB550SS-30

更新时间： 2024-09-17 09:37:51

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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5页	1146K
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Schottky Barrier Diode

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RB550SS-30 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB550SS-30

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

Small current rectification

0.8

Features

1)Small mold type (KMD2)

2)High reliability

3)Low I_R

KMD2

0～0.03

Structure

0.8±0.05

0.6±0.03

0.7±0.05

ROHM : KMD2

JEDEC :-

JEITA : -

Construction

Silicon epitaxial planer

dot (year week factory)

Taping dimensions (Unit : mm)

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

Unit

Symbol

V_RM

V_R

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

0.5

I_FSM

Forward current surge peak (60Hz･1cyc.)

Junction temperature

Storage temperature

150

C

40 to 150

Tstg

(*1) On the Glass epoxy board , 180°Half Sine wave

Electrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Forward Voltage

Symbol

Min.

Typ.

0.53

1.00

Max.

0.59

8.00

Unit

Conditions

I^F=0.5A

V_F

I^R

Reverse Current

VR=15V

μA

www.rohm.com

2011.12 - Rev.A

1/4

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