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RB521CS-30_09

更新时间： 2024-02-01 15:43:35

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	361K
描述
Schottky barrier diode

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RB521CS-30_09 数据手册

Schottky barrier diode

RB521CS-30

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

Low current rectification

0.16±0.05

0.55

0.6±0.05

zFeatures

1) Ultra Small power mold type

(VMN2)

2) Low V_F

VMN2

3) High reliability

0.37±0.03

0.35±0.1

zStructure

ROHM :V M N 2

dot (year w eek factory)+ day

zStructure

Silicon epitaxial planer

zTaping dimensions (Unit : mm)

φ1.55

0.2±0.05

2±0.05

4±0.1

φ0.5

0.52

2±0.05

4.0±0.1

0.7±0.05

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

Unit

Reverse voltage (DC)

Average rectifierd forward current

Forward current surge peak (60Hz/1cyc)

Junction temperature

100

500

150

°C

I_FSM

Storage temperature

-40 to +150

Tstg

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.35

Unit

Forward vpltage

Reverse current

V_F

I_R

I_F=10mA

V_R=10V

µA

www.rohm.com

2009.12 - Rev.B

1/3

12 3 4

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