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RB521G-30

更新时间： 2024-01-04 04:46:37

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2页	151K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

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RB521G-30 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.35	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.35 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	1 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB521G-30 数据手册

RB521G-30

SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

for rectifying small power application

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Top View

Marking Code: "E"

Simplified outline SOD-523 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Reverse Voltage

V_R

I_O

Average Rectified Forward Current

Peak Forward Surge Current (60 Hz for 1 cyc.)

Junction Temperature

100

I_FSM

T_j

125

Storage Temperature Range

T_s

- 40 to + 125

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

V_F

Max.

0.35

Unit

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

Reverse Current

at V_R= 10 V

I_R

µA

Note: Please pay attention to static electricity when handling.

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 23/11/2006

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