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RB521G-30T2R

更新时间: 2024-10-29 12:28:23
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罗姆 - ROHM 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 174K
描述
Schottky barrier diode RB521G-30

RB521G-30T2R 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:7.92Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.35 VJESD-30 代码:R-PDSO-F2
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:0.5 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RB521G-30T2R 数据手册

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RB521G-30  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB521G-30  
zApplication  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Rectifying small power  
0.5  
0.13±0.03  
0.6±0.05  
zFeatures  
1) Ultra small mold type. (VMD2)  
2) Low V  
F
3) High reliability  
VMD2  
zConstruction  
0.27±0.03  
0.5±0.05  
Silicon epitaxial planer  
zStructure  
ROHM : VMD2  
dot (year week factory)  
zTaping specification (Unit : mm)  
0.18±0.05  
φ1.5+0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ0  
2±0.05  
4±0.1  
φ0.5  
0.3  
0.65±0.05  
4±0.1  
2±0.05  
0.76±0.1  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VR  
Unit  
Reverse voltage (DC)  
30  
V
Average rectified forward current  
Forward current surge peak 60Hz1cyc)  
Junction temperature  
100  
500  
125  
Io  
IFSM  
Tj  
mA  
mA  
Storage temperature  
-40 to +125  
Tstg  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Reverse current  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
VF  
IR  
-
-
-
-
0.35  
10  
IF=10mA  
VR=10V  
µA  
Rev.A  
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