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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOD-523F |
| 包装说明： | R-PDSO-F2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 3.21 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.5 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 30 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PMEG3002AEB,115 | NXP |
功能相似  |
PMEG3002AEB - Low VF MEGA Schottky barrier diode SOD 2-Pin |
|
| RB521S-30TE61 | ROHM |
功能相似 |
Schottky Barrier Diode |
|
| RB521S30T1G | ONSEMI |
功能相似 |
Schottky Barrier Diode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RB521S-30 | TYSEMI |
获取价格 |
Extremely Small surface mounting type.(EMD2) |
|
| RB521S-30 | SEMTECH |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
| RB521S-30 | KEXIN |
获取价格 |
Schottky barrier diode |
|
| RB521S-30 | TRSYS |
获取价格 |
Schottky barrier Diodes |
|
| RB521S-30 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode |
|
| RB521S-30 | ROHM |
获取价格 |
Schottky barrier diode |
|
| RB521S-30 | LGE |
获取价格 |
Schottky barrier Diode |
|
| RB521S-30 | COMCHIP |
获取价格 |
SMD Schottky Barrier Diode |
|
| RB521S-30 | TSC |
获取价格 |
200mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode |
|
| RB521S-30 | YANGJIE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon, |
|
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