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RB521CS-30FH

更新时间： 2024-09-24 21:18:47

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罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	620K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, VMN2, 2 PIN

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RB521CS-30FH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	VMN2, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.72	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB521CS-30FH 数据手册

AEC-Q101 Qualified

Schottky barrier diode

RB521CS-30FH

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

Low current rectification

0.16±0.05

0.55

0.6±0.05

zFeatures

1) Ultra Small power mold type

(VMN2)

2) Low V_F

VMN2

3) High reliability

0.37±0.03

0.35±0.1

zStructure

ROHM :V M N 2

dot (year w eek factory)+ day

zStructure

Silicon epitaxial planer

zTaping dimensions (Unit : mm)

φ1.55

0.2±0.05

2±0.05

4±0.1

φ0.5

0.52

2±0.05

4.0±0.1

0.7±0.05

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

Unit

Reverse voltage (DC)

Average rectifierd forward current

Forward current surge peak (60Hz/1cyc)

Junction temperature

100

500

150

°C

I_FSM

Storage temperature

-40 to +150

Tstg

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.35

Unit

Forward vpltage

Reverse current

V_F

I_R

I_F=10mA

V_R=10V

µA

www.rohm.com

2009.12 - Rev.B

1/3

12 3 4

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