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RB521G-30

更新时间： 2024-02-06 03:58:41

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强茂 - PANJIT		肖特基二极管
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3页	162K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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RB521G-30 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.35	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.35 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	1 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB521G-30 数据手册

RB521G-30

SCHOTTKY BARRIER DIODE

FEATURES

• Rectifying small power

• Ultra small mold type

•

Low VF

• High reliability

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICALDATA

Case: SOD-723, Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: See Diagram Below

Approx.Weight : 0.00077 gram

Marking : BN

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( TA = 25^OC )

SYMBOL

PARAMETER

Reverse Voltage (DC)

LIMITS

UNITS

Average Rectified Forward Current

Forward Current Surge Peak (60Hz . 1cyc)

Operating Junction and Storage Temperature Range

100

^OC

500

FSM

-40 to 125

,TSTG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA = 25^OC )

SYMBOL TEST CONDITIONS

= 10mA

MAX

0.35

PARAMETER

Forward Voltage

MIN

TYP

UNITS

µA

Reverse Current

VR = 10V

PAGE . 1

STAD-MAY.18.2007

12 3

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