RB521G-30

更新时间： 2024-02-15 17:11:43

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罗姆 - ROHM		整流二极管肖特基二极管
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Schottky barrier diode

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RB521G-30 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.35	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.35 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	1 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB521G-30 数据手册

RB521G-30

Diodes

Schottky barrier diode

RB521G-30

zApplication

zExternal dimensions (Units : mm)

Rectifying small power

0.6±0.05

0.27±0.03

zFeatures

0.13±0.03

1) Ultra small mold type. (VMD2)

2) High reliability

CATHODE MARK

0.5±0.05

zConstruction

ROHM : VMD2

EIAJ :

Silicon epitaxial planer

JEDEC :

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Reverse voltage (DC)

100

Average rectified forward current

Forward current surge peak

Junction temperature

FSM

125

°C

Tstg

−40~+125

Storage temperature

60Hz, 1cyc.

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

−

0.350

=10mA

µA

V^R=10V

Please pay attention to static electricity when handling.

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